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半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

    本发明提供的一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括半导体衬底，其内部形成有包括N沟道和P沟道的CMOS电路结构；堆叠结构，位于所述半导体衬底之上，且内部形成有源极和漏极以及与该源极和漏极电连接的氧化层，所述源极和所述漏极材料为金属硅化物，所述氧化层上形成有由铁电栅层和金属栅层构成的栅极层；其内部形成存储电路结构；贯通插塞，贯通所述半导体衬底和所述堆叠结构，并连接所述CMOS电路结构以及所述以及存储电路结构。在上述技术方案中，该半导体结构将半导体衬底上的堆叠结构采用为低温CMOS工艺

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871385 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202110967876.3 (22)申请日 2021.08.23 (71)申请人 中国科学院微电子研究所

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