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- 2023-07-07 发布于四川
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本发明涉及一种光电器件(10),该光电器件包括至少第一和第二发光二极管(DEL),该第一和第二发光二极管各自包括第一p型掺杂半导体部分(30)和第二n型掺杂半导体部分(26)、在第一和第二半导体部分之间包括多个量子阱的活性区(28)、覆盖活性区(28)的和第一半导体部分的至少一部分的侧壁(34)的导电层(38)、以及介于活性区(28)的和导电层的至少一部分的侧壁(34)之间的绝缘层(36)。该器件包括用于独立于第二发光二极管的导电层控制第一发光二极管的导电层的装置。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113875012 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202080036339.0 (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司
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