原创力文档- 1
- 0
- 约1.42千字
- 约 1页
- 2023-07-07 发布于四川
- 举报
半导体器件包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极、漏极、栅极结构、多个第一p型掺杂氮化物半导体岛以及第二p型掺杂氮化物半导体岛。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上。源极与漏极设置于第二氮化物半导体层上，其中于垂直第二氮化物半导体层的方向上看向漏极，其为于延伸方向上纵向延伸。栅极结构位于源极和漏极之间。第一p型掺杂氮化物半导体岛设置于第二氮化物半导体层上，并沿着延伸方向排列成与漏极毗邻，其中于垂直第二氮化物半导体层的方向上看向漏极与第一p型掺杂氮化物半导体岛，其为互相重叠的。第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113875020 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202080002474.3 (74)专利代理机构 深圳宜保知识产权代理事务
文档评论（0）