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本发明涉及一种薄膜型半导体芯片结构，将其命名为“光格结构”。该结构利用金属材料，将分别制成P型金属和N型金属的其中之一作为衬底，另一金属作为金属侧壁。金属侧壁与金属衬底绝缘连接，形成立体的光学反射腔体。在光学反射腔体顶部覆盖透明导电层，并在光学反射腔体中设置光电转换层，从而形成“光格”。当光电转换层将电能转换成光能时，光格成为发光单元；当光电转换层将光能转换成电能时，光格成为电能的生成单元。立体光格结构只能通过光学反射腔体透明导电层所在的平面发射或者收集光子。多个光格聚集在一起，则构成“光格阵列
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113851563 A
(43)申请公布日 2021.12.28
(21)申请号 202110987209.1 H01S 5/20 (2006.01)
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