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本发明提供了一种鳍式半导体器件及其制备方法，包括：衬底；介质层，位于所述衬底上；以及，若干鳍片，间隔排布在所述衬底上，每个所述鳍片从所述衬底向上贯穿所述介质层后继续向上延伸，且所述鳍片包括从下至上的第一部分及第二部分，其中，所述第一部分位于所述介质层中，所述第二部分位于所述介质层上，所述第二部分的侧壁的一部分向内凹陷以使所述第二部分对应凹陷部位的横向宽度减小；本发明减小了鳍式半导体器件短沟道效应，改善漏电现象，提高了鳍式半导体器件的电性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113851529 A
(43)申请公布日 2021.12.28
(21)申请号 202111045909.5 H01L 21/336 (2006.01)
(22)申请日
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