一种TOPCon电池的制备方法.pdfVIP

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2023-07-07 发布于四川
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一种TOPCon电池的制备方法.pdf

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本发明公开了一种TOPCon电池的制备方法，在硅片背面LPCVD制备隧穿氧化层并沉积本征非晶硅之后，先去除硅片正面非晶硅绕镀，然后在硅片背面涂覆液态掺杂剂并烘干，然后对硅片进行退火，通过退火使非晶硅晶化且使杂质激活。本发明可实现单面扩散并无绕扩，是可用于制备n+POLO结构的工艺方案，满足高产能需求的同时，优化了工艺窗口，规避了绕扩风险，可实现退火前去除非晶硅绕镀，简化工艺步骤，保护硅片正面结构，提高工艺可控性，还能解决扩散浓度与隧穿层效果之间的矛盾。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113851559 B (45)授权公告日 2023.02.28 (21)申请号 202111263015.3 CN 206931575 U,2018.01.26 (22)申请日 2