具有无源磁电换能器的半导体设备.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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本申请提供了具有无源磁电换能器的半导体设备。本发明涉及一种半导体设备,包括:第一类型的第一扩散区域(110),具有嵌入其中的、与所述第一类型不同的第二类型的第二和第三扩散区域(115),所述第二和所述第三扩散区域比所述第一区域掺杂得更多,所述第二和第三扩散区域各自连接至相应的触点(130、135),电介质层(120),至少覆盖所述第二和第三扩散区域的边缘以及所述第二和第三扩散区域之间的区域,压电层(140a),设置在所述电介质层(120)上,设置在所述电介质层(120)上方,设置成与所述电介质层

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871248 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202110592625.1 (22)申请日 2021.05.28 (30)优先权数据

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