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- 2023-07-07 发布于四川
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一种半导体器件及半导体器件的形成方法，能够解决金属钨填充至所述接触窗或接触口内时出现的孔洞问题。所述半导体器件的形成方法，包括以下步骤：S11提供衬底；S12在所述衬底上表面形成阻挡层，且所述阻挡层的晶向中，晶向的占比至少为一预设值；S13在所述阻挡层上表面形成金属材料层，所述金属材料层的晶向包括晶向。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871344 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202010610934.2
(22)申请日 2020.06.30
(71)申请人 长鑫
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