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- 2023-07-07 发布于四川
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一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上具有多个分立的栅极结构，栅极结构的顶部和侧壁具有保护结构，基底上具有覆盖保护结构侧壁的第一介质层；在栅极结构两侧的第一介质层中形成源漏接触孔插塞，源漏接触孔插塞的顶面低于栅极结构顶部的保护结构的顶面；形成覆盖第一介质层、保护结构和源漏接触孔插塞的第二介质层；在第二介质层中形成位于源漏接触孔插塞上的底部接触孔；在第二介质层中形成位于栅极结构上且暴露出保护结构的栅接触孔；采用一个或者多个子循环工艺去除栅接触孔底部的保护结构，子循环工艺包括：对栅接触孔底
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871345 A
(43)申请公布日
2021.12.31
(21)申请号 20201
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