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- 2023-07-07 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括存储器区，基底中有前层金属互连结构，基底表面露出前层金属互连结构，存储器区基底上形成有阻变存储单元结构，底部与前层金属互连结构相连，基底上形成有覆盖阻变存储单元结构的第一介电层；在阻变存储单元结构顶部的第一介电层中形成第一通孔互连结构；在第一介电层上形成第二介电层；在阻变存储单元结构顶部的第二介电层中形成电连接第一通孔互连结构的第一金属互连结构，第一金属互连结构包括第一金属互连线；在存储器区中，第一金属互连线连接多个第一通孔互连结构。本发明降低
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871409 A
(43)申请公布日
2021.12.31
(21)申请号 20201
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