1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体器件以及制造半导体器件的方法.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约2.45万字
  • 约 25页
  • 2023-07-07 发布于四川
  • 举报

半导体器件以及制造半导体器件的方法.pdf

    半导体器件包括第一半导体层、第二半导体层、源极、漏极、栅极结构和第一p型掺杂III‑V族化合物/氮化物半导体层。第二半导体层设置于第一半导体层上，并且具有的带隙大于第一半导体层的带隙。源极和漏极设置于第二半导体层上。栅极结构设置于第二半导体层上且于源极和漏极之间。第一p型掺杂III‑V族化合物半导体层设置于第二半导体层上且于栅极结构和漏极之间，且漏极至少部分地覆盖p型掺杂层，使得第一p型掺杂III‑V族化合物层和漏极彼此电气耦合。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113875019 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202080002210.8 (51)Int.Cl.

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >