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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdfVIP

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdf

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    本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；多量子阱层为周期性结构，周期数为2～15，每个周期均包括依次层叠的量子阱层和量子垒层；每个量子垒层均包括：阵列分布于量子阱层上的多个AlN纳米柱；一一对应层叠于AlN纳米柱上的多个AlGaN纳米柱；层叠于AlGaN纳米柱上的GaN二维层，GaN二维层沿AlGaN纳米柱顶部的预设方向生长合并，以形成具

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116404079 A (43)申请公布日 2023.07.07 (21)申请号 202310372756.8 B82Y 40/00 (2011.01) (22)申请日 2023.04.

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