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钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-08 发布于四川
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钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法.pdf

    本申请涉及一种钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法，通过对初始叠层结构中掺杂膜层的掺杂源进行激活处理，使得掺杂源向多晶硅膜层中扩散，以得到掺杂叠层结构。一方面初始叠层结构包括交替设置的多晶硅膜层、掺杂膜层且初始叠层结构的底层、顶层均为多晶硅膜层，掺杂膜层中的掺杂源可以向两侧多晶硅膜层扩散，以减少掺杂源向基片方向扩散的掺杂量，并使得掺杂源的分布更均匀，降低接触电阻率；另一方面，该初始叠层结构的底层多晶硅膜层可以隔离掺杂膜层与隧穿层，防止隧穿层被激活处理后的掺杂源扩穿，以提高隧穿层的钝化

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116404070 A (43)申请公布日 2023.07.07 (21)申请号 202310665796.1 (22)申请日 2023.06.07 (71)申请人 天合光能股份有限公司 地址 21

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