约瑟夫森结的制备方法、量子电路、量子芯片及量子器件.pdfVIP

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2023-07-08 发布于四川
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约瑟夫森结的制备方法、量子电路、量子芯片及量子器件.pdf

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本发明公开了一种约瑟夫森结的制备方法、量子电路、量子芯片及量子器件，其中，约瑟夫森结的制备方法，包括以下步骤：提供衬底；确定位于衬底上的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域具有相交处；形成第一电极于所述第一区域；形成第二掩模层于所述衬底上，所述第二掩模层具有暴露所述第二区域的第二沉积窗口；形成势垒层于所述相交处的第一电极上；利用所述第二沉积窗口形成第二电极以在所述相交处获得约瑟夫森结。本发明提供的约瑟夫森结的制备方法，可摆脱现有的依赖斜蒸发镀膜工艺制备约瑟夫森结的方法，免去了现有的斜蒸发工

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116406222 A (43)申请公布日 2023.07.07 (21)申请号 202111514062.0 (22)申请日 2021.12.10 (71)申请人本源量子计算科技（合肥）股份有限