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本发明提供了一种香草兰脱毒种苗的培养基组合，其特征在于，包括无菌种子萌发培养基、丛生芽诱导培养基和增殖生根培养基；所述无菌种子萌发培养基包括：0.3～1.0mg/L6‑BA、0.1～1.0mg/LNAA和0.1～0.5mg/LGA3；所述丛生芽诱导培养基包括：1.0～2.5mg/L6‑BA和0.1～0.5mg/LNAA；所述增殖生根培养基包括：0.1～0.5mg/LNAA和0.05～0.1mg/LGA3。本发明以特定的消毒手段保证香草兰组织无病毒感染，为香草兰脱毒苗再生提供无菌种子为
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113854155 B
(45)授权公告日 2022.06.10
(21)申请号 202111321470.4 (51)Int.Cl.
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