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相变存储器及其制备方法.pdfVIP

相变存储器及其制备方法.pdf

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    本发明提供了一种相变存储器及其制备方法。通过在相变存储单元的至少相变元件的侧壁上形成自组装有机分子膜，以利用自组装有机分子膜提高相变元件和保护层之间的黏附力度，进而可更好的抵抗器件在较高温度下由于产生的内应力而引起的空洞问题，提高器件的有效寿命和可靠性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871415 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202111362769.4 (22)申请日 2021.11.17 (71)申请人 长江先进存储产业创新中心有限责

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