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- 2023-07-08 发布于四川
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本发明涉及一种n基硅背接触太阳能电池及制备方法，该太阳能电池包括：扩散层及第一钝化层、n型硅片、隧穿层、n+型多晶硅层、第二钝化层、p+型多晶硅层、第三钝化层、绝缘胶条、第一金属浆料或第五金属浆料、第二金属浆料、第三金属浆料或第六金属浆料、第四金属浆料；第一金属浆料为烧穿型银浆料，第二金属浆料为负极栅线，第三金属浆料为烧穿型银铝或银硼浆料，第四金属浆料为正极栅线，第五金属浆料为非烧穿型银铝或银硼浆料，第六金属浆料为非烧穿型银铝或银硼浆料，第二金属浆料和第四金属浆料为锡、铜、银混合浆料。本发明提高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871499 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202111407742.2
(22)申请日 2021.11.25
(71)申请人 陕西众森电能科技有限公司
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