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本申请涉及集成FEM和ANFIS的硅通孔阵列峰值温度快速预测方法及系统，具体设置半导体封装技术领域。本申请提供的集成FEM和ANFIS的硅通孔阵列峰值温度快速预测方法，方法包括：通过获取硅通孔阵列的硅通孔半径、硅通孔间距和绝缘层厚度；并将硅通孔半径、硅通孔间距和绝缘层厚度代入到预设神经模糊推理系统模型中，计算得到硅通孔阵列的峰值温度；由于本申请的预设神经模糊推理系统模型通过多组数据计算得到，进而使得通过使用该预设神经模糊推理系统模型得到的硅通孔阵列的峰值温度的准确度和可信度较高，并且由于本申请只
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113868946 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202111120059.0 G06F 119/08 (2020.01)
(22)申请日
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