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一种铜铟镓硒薄膜太阳电池无镉缓冲层的原子层沉积制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-08 发布于四川
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一种铜铟镓硒薄膜太阳电池无镉缓冲层的原子层沉积制备方法.pdf

    本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳电池无镉缓冲层的沉积方法，该方法的特征是采用二乙基锌（DEZn）、双环戊二茂镁（MgCP2）、H2S作为Zn、Mg和S的前躯体源进行原子层沉积，得到Zn1‑xMgxS缓冲层材料。此方法具有沉积速度稳定、薄膜致密性好、性能优异等特点。Zn1‑xMgxS作为CIGS薄膜太阳电池的一种新型缓冲层材料，具有无镉、环境友好的特点；通过调节ZnS的Mg掺杂比例，可得到比ZnS更合适的晶格参数，降低了其与吸收层CIGS界面间的失配度，改善了界面质量；随着Mg含量x的变化，还能调

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 105118875 A (43)申请公布日 2015.12.02 (21)申请号 201510444958.4 (22)申请日 2015.07.27 (71)申请人 云南师范大学 地址

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