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本发明提供一种MEMS谐振器制备方法，包括以下步骤：获取SOI基片，其中，所述SOI基片包括由上至下依次设置的顶硅层、埋氧层以及衬底层；刻蚀所述顶硅层，形成封装环以及处于所述封装环内的芯片部；刻蚀所述芯片部，形成沿水平向依次呈间隔设置的输入电极、谐振结构以及输出电极，其中，所述输入电极以及输出电极均与所述谐振结构之间形成有电容间隙；自所述电容间隙，腐蚀去除处于所述谐振结构下的所述埋氧层；制备封装盖片，真空键合所述封装盖片以及所述封装环，形成MEMS谐振器。在本发明提供的技术方案中，利用顶硅层定义
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113872545 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202111184562.2
(22)申请日 2021.10.11
(71)申请人 中国科学院半导体研究所
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