一种优化的HIT太阳能电池结构.pdfVIP

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2023-07-08 发布于四川
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一种优化的HIT太阳能电池结构.pdf

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本发明提供了一种优化的HIT太阳能电池结构，该结构中含有正面缓冲钝化层，所述正面缓冲钝化层的材料为a‑SiGe:H，其厚度为3‑10nm；所述HIT结构为：丝网印刷银前栅/TCO层/正面p型非晶硅薄膜/正面缓冲钝化层/n型单晶硅衬底/背面本征非晶硅钝化层/背面n型非晶硅薄膜/TCO层/金属背电极。本发明研究了在HIT太阳能电池中，引入a‑SiGe:H代替a‑Si:H层等其他材料作为正面缓冲钝化层，在实际应用时高低温变化及厚度变换与效率的关系，本发明通过选择合适的材料，优化了电池性能，降低了工艺难

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116404048 A (43)申请公布日 2023.07.07 (21)申请号 202310275991.3 (22)申请日 2023.03.21 (71)申请人扬州大学地址 225009