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一种集成电路装置包括衬底、栅极结构、间隔件结构、源极/漏极区及第一接触件结构。所述衬底包括鳍型有源区。所述栅极结构与衬底上的鳍型有源区交叉，且具有两侧及两个侧壁。所述间隔件结构设置在栅极结构的两个侧壁上，且包括第一间隔件层及第二间隔件层，第一间隔件层与栅极结构的两个侧壁的至少一部分接触，第二间隔件层设置在第一间隔件层上且具有比第一间隔件层的介电常数低的介电常数。所述源极/漏极区设置在栅极结构的两侧。所述第一接触件结构电连接到源极/漏极区且包括设置在源极/漏极区上的第一接触塞以及设置在第一接触塞上
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109390337 A
(43)申请公布日
2019.02.26
(21)申请号 20181
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