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实验九 BTC-V 法测量SiO 层中可动离子密度和固定电荷密度 2 1． 实验目的 学习用BTC-V 法测量MOS 结构SiO 层中的固定电荷和可动离子电荷的密度。 2 2 ． 实验内容 测量样品原始高频C-V 特性曲线后，进行负BT 处理。测量C-V 曲线，然后进行正温偏处 理并测出其C-V 曲线。用计算机计算可动离子电荷密度N 和固定电荷密度N 。 m f 3 ． 实验原理 ⑴ 高频C-V 特性的测量原理 BTC-V 法是偏压=温度处理和高频 C-V 特性测试相结合的实验方法。所谓高频 C-V 特性是指在 MOS 结构样品的直流偏压上再叠加一个幅度较小的高频交流信号的情况下， MOS 结构的电容C 和和其直流偏