SRAM存储单元、SRAM存储器及电路芯片.pdfVIP

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2023-07-08 发布于四川
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SRAM存储单元、SRAM存储器及电路芯片.pdf

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本发明涉及一种SRAM存储单元、SRAM存储器及电路芯片；其包括两组位线、数据锁存器、两组传输管和读写控制端；所述数据锁存器包括交叉耦合的第一反相器和第二反相器，所述读写控制端连接所述第一反相器和所述第二反相器，用于控制所述第一存储节点Q接通电源，控制所述第二存储节点QB接地；或者控制所述第一存储节点Q接地，控制所述第二存储节点QB接通电源；所述数据锁存器的对称结构中的一侧形成上拉电路，其对侧形成下拉电路；本发明具有极高的读写稳定性和读写能力，其对称结构利于版图设计和后端电路布置，空间利用率高，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116403626 A (43)申请公布日 2023.07.07 (21)申请号 202310340227.X (22)申请日 2023.03.31 (71)申请人苏州宽温电子科技有限公司地址