一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法.pdfVIP

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2023-07-08 发布于四川
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一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法.pdf

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本发明提供一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法，所述生长方法至少包括：1)提供硅衬底，图形化刻蚀所述硅衬底；2)进行第一次热处理，所述刻蚀形成的刻蚀孔的上表面逐渐闭合，在所述硅衬底中形成分立的空腔结构；3)进行第二次热处理，分立的所述空腔结构逐渐合并；4)在所述硅衬底表面外延生长第一氮化铝薄膜；5)在所述第一氮化铝薄膜表面外延生长第二氮化铝薄膜。本发明利用表面图形化刻蚀和两次热处理工艺在硅衬底中形成大尺寸空腔结构，空腔结构对氮化铝或者铝钪氮薄膜外延过程中因为晶格失配或者热失配产生的应力进行有效释放

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115094516 A (43)申请公布日 2022.09.23 (21)申请号 202210731188.1 (22)申请日 2022.06.24 (71)申请人中国科学院上海微系统与信息技术