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本发明涉及一种高长径比倒锥状氮掺杂碳化硅纳米线及制备方法，通过简单的化学气相沉积方法及新的氮掺杂方式，制备具有高长径比的倒锥状碳化硅纳米线。所制备的倒锥状碳化硅纳米线表面光滑，形貌均一，产量高。该方法有效解决了现有碳化硅纳米线制备工艺成本高、操作复杂，纳米线结构不均匀、长径比低、产量低、纯度低等问题，并可在不同碳质基体上原位生长倒锥状碳化硅纳米线，为倒锥状碳化硅纳米线的制备提供新的技术和方法，有望在储能、场发射、增韧材料、纳米复合材料等领域得到广泛应用。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115259159 A
(43)申请公布日 2022.11.01
(21)申请号 202210846073.7
(22)申请日 2022.07.05
(71)申请人 西北工业大学
地址 710072
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