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本发明公开了一种改善高温去胶工艺中光刻胶皱缩的方法，包括以下步骤：S1：晶圆在放入高温200‑300度的腔室前，首先在预热盘上缓慢升温100度至200度加热，这一步处于大气环境，起始温度100度低于PR的烘烤温度，之后逐渐升温直到200度；S2：打开腔室门，且顶针顶起，将晶圆传至腔室内，保持腔室打开和顶针顶起的状态30秒；30秒后顶针落下晶圆接触加热载盘，并开始进行去胶工艺；S3：去胶工艺结束后，顶针顶起晶圆，并打开腔室手臂伸入且保持30秒。本发明与现有技术相比的优点是：本发明提出了优化晶圆传送
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113867110 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202111112552.8
(22)申请日 2021.09.23
(71)申请人 上海稷以科技有限公司
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