一种发光半导体器件.pdfVIP

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2023-07-11 发布于四川
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一种发光半导体器件.pdf

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本实用新型涉及一种发光半导体器件，包括：依次自下而上依次层叠设置的衬底、第一缓冲层、n型氮化物半导体层、第二缓冲层、发光层、p型氮氧化物半导体层和电流扩散及空穴注入层；n型电极，设置在所述n型氮化物半导体层上；p型电极，设置在所述电流扩散及空穴注入层上；其中，所述衬底上设置有若干半球形中空部，所述发光层具有AlGaInN量子阱结构，所述电流扩散及空穴注入层为n型杂质及p型杂质一同掺杂的ZnO层，所述电流扩散及空穴注入层上设置有粗糙结构。本实用新型的发光半导体器件，在衬底上设置有若干半球形中空部，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214176056 U (45)授权公告日 2021.09.10 (21)申请号 202022515949.9 H01L 33/22 (2010.01) (22)申请日 2