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MOSFET概念深入的资料第1页/共51页第2页/共51页第11章MOSFET概念的深入11．1非理想效应11．2 MOSFET按比例缩小理论11．3阈值电压的修正11．4附加电学特性11．5辐射和热电子效应*第3页/共51页11.1 非理想效应与理想推导和实验结果偏离的五种效应：（1）亚阈值电导（2）沟道长度调制（3）沟道迁移率的变化（4）速度饱和（5）弹道输运第4页/共51页11.1 非理想效应 亚阈值电流: 定义理想伏安特性，当栅源电压时，漏电流ID为0；实际实验中，当 时，ID不为0；亚阈值电流：VGS≤VT时的电流称为亚阈值电流。第5页/共51页11.1 非理想效应 亚阈值电流: 比较施加小的漏电压时，n沟道MOSFET沟道表面势示意图堆积状态：势垒很高→电子无法跃过→无法形成表面电流；弱反型状态：势垒较低→电子有一定的几率越过势垒→形成亚阈值电流；强反型状态：势垒极低→大量电子越过势垒→形成沟道电流。第6页/共51页11.1 非理想效应 亚阈值电流: 电压特性IDsub-VDS曲线的斜率是半导体掺杂浓度和界面态密度的函数。可通过对曲线斜率的测量来实验确定氧化层-半导体界面态密度。第7页/共51页11.1 非理想效应 沟道长度调制效应:机理当MOSFET偏置在饱和区时，漏端的耗尽区横向延伸而进入沟道，从而减小了有效沟道长度。第8页/共51页12.1 非理想效应 沟道长度调制效应:模型1视作漏-衬pn结空间电荷区的扩展第9页/共51页12.1 非理想效应沟道长度调制效应:模型2第10页/共51页12.1 非理想效应 沟道长度调制效应:影响因素ID的实测值高于理论值在饱和区，实测ID随VDS增加而缓慢增加第11页/共51页11.1 非理想效应迁移率变化:纵向电场的影响(1) 表面散射第12页/共51页11.1 非理想效应迁移率变化:纵向电场的影响(2)体迁移率(典型值600cm2/Vs, NMOS） 有效迁移率：表面迁移率有效迁移率经验表达式：典型值0.03随VGS-VTn↑而↑变缓 第13页/共51页12.1 非理想效应迁移率变化:漂移速度与电场的关系峰值漂移速度饱和漂移速度峰值电场强度第14页/共51页（104V/cm)11.1 非理想效应 迁移率变化:Si的情形高场：迁移率随E增加而下降强场：迁移率与E成反比低场：迁移率不随E而变第15页/共51页（104V/cm)11.1 非理想效应 迁移率变化:GaAs、InP的情形与Si相比，GaAs、InP的特点：存在漂移速度峰值迁移率大存在负微分迁移率区饱和漂移速度小第16页/共51页11.1 非理想效应12.1.4迁移率变化:速度饱和效应漏源电流下降提前饱和 饱和漏源电流与栅压成线性关系饱和区跨导与偏压及沟道长度无关截止频率与栅压无关第17页/共51页11.1 非理想效应 弹道输运在MOSFET中，当沟道长度小于载流子的碰撞距离时，载流子中的一大部分可以不经过散射就能从源端到达漏端，这种载流子运动称为弹道输运。非弹道输运MOSFET沟道长度L0.1μm，大于散射平均自由程；载流子从源到漏运动需经过多次散射；载流子运动速度用平均漂移速度表征；弹道输运MOSFET沟道长度L0.1μm，小于散射平均自由程；载流子从源到漏运动大部分没有一次碰撞-弹道输运；高速器件、纳米器件；第18页/共51页11.2 按比例缩小 为什么要缩小MOSFET尺寸?提高集成度：同样功能所需芯片面积更小；提升功能：同样面积可实现更多功能；降低成本：单管成本降低；改善性能：速度加快，单位功耗降低；若尺寸缩小30％，则 栅延迟减少30％，工作频率增加43％； 单位面积的晶体管数目加倍； 每次切换所需能量减少65％，节省功耗50％；第19页/共51页11.2 按比例缩小缩小方式完全按比例缩小(Full Scaling)尺寸与电压按同样比例缩小；电场强度保持不变；最为理想，但难以实现；恒压按比例缩小(Fixed Voltage Scaling)尺寸按比例缩小，电压保持不变；电场强度随尺寸的缩小而增加，强场效应加重；一般化按比例缩小(General Scaling)尺寸和电场按不同的比例因子缩小；迄今为止的实际做法；第20页/共51页11.2 按比例缩小完全按比例缩小:规则第21页/共51页11.2 按比例缩小完全按比例缩小:结果第22页/共51页11.2 按比例缩小完全按比例缩小:小结第23页/共51页表面空间电荷区厚度xdT漏、源区扩散结深rj短沟道长沟道n沟道MOSFET窄沟道宽沟道n沟道MOSFET11.3 阈值电压修正 VT与L、W的相关性第24页/共51页11.3 阈值电压修正VT随L的变化:表面空间电荷 短沟道效应第25页/共51页11.3 阈值电压修正VT随L的变化