集成电路装置及形成集成电路的方法.pdfVIP

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2023-07-12 发布于四川
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集成电路装置及形成集成电路的方法.pdf

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本发明公开一种集成电路装置及形成集成电路的方法，其中该集成电路装置包含有一互补式金属氧化物半导体影像传感器。此互补式金属氧化物半导体影像传感器包含一P‑N结二极管、一晶体管栅极、一多晶硅插塞以及一堆叠的金属层。P‑N结二极管设置于一基底中。晶体管栅极以及多晶硅插塞设置于基底上，其中多晶硅插塞直接连接P‑N结二极管。堆叠的金属层将多晶硅插塞连接至晶体管栅极，其中堆叠的金属层包含一下层金属层以及一上层金属层，且下层金属层包含一第一金属硅化物部分连接多晶硅插塞。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111370430 A (43)申请公布日 2020.07.03 (21)申请号 20181