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本发明涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。课题在于实现金属层选择比和掩模选择比的兼顾。技术方案为：一种等离子体处理装置，对配置有多层膜的处理容器内供给至少含有氟碳系气体或氢氟碳系气体、氧气、氮气和CO的处理气体，在供给了处理气体的处理容器内产生等离子体，对多层膜进行蚀刻，其中，该多层膜至少具有氧化层、比该氧化层的上表面在叠层方向上配置于下方的导电层和配置于上述氧化层的上表面的掩模层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109390229 A
(43)申请公布日
2019.02.26
(21)申请号 20181
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