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本发明提供一种GaN基HEMT器件的制备方法，通过在去除图形化光阻层时，在辅制程及主制程中采用大气体流量的H2O，以实现过量的水蒸气对光阻进行软化，从而使光阻去除后剩余的聚合物、光阻残留物降低，达到减少Cl‑的效果，同时Cl‑溶于水的量也增加，还可进一步减少来自晶圆表面的Cl‑的影响；另外，在形成源、漏极金属层时，在图形化光阻层去除后再追加一次不通H2O的去除图形化光阻层中的主制程，可去除源极金属层及漏极金属层表面部分很薄的厚度，由于金属刻蚀引入了浓度较大的Cl‑，以此可有效去除金属层表面的Cl
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116417331 A
(43)申请公布日 2023.07.11
(21)申请号 202111641430.8
(22)申请日 2021.12.29
(71)申请人 华润微电子（重庆）
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
版权声明书
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