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PTCR陶瓷材料
1. 概述
1954年,Haagman(海曼)等人研究开发价控BaTiO3铁电半导体陶瓷在铁电相向顺电相相变温度以上,电阻显著增加的现象,即PTC效应。
正温度系数热敏电阻器
PTCR:Positive Temperature Coefficient Resistors
其典型的特性曲线 R~T
2. Heywang 表面势垒模型(1961年提出)
—表面势垒高度
EF — 费米能级
Ns—表面态密度
—空间电荷层厚度
ES —表面态距导带底距离
由Heywang模型求受主状态密度的方法:
1
:温度T(k)时的阻值
:常数
:势垒高度
:表面受主的状态密度
:施主有效状态密度
:晶界势垒层的介电常数
3. 受主态密度的实验测量及计算方法
2
:表观介电常数
:容量
:试样的厚度
:电极的面积
3
d :试样的平均粒径
由
1
2
3
式得:
4
式取对数:
4
5
为纵坐标,
为横坐标作图为直线。
直线的斜率=
6
由
6
可以求出Ns
4. 复阻抗
PTCR的等效电路
等效电路的复阻抗
;
为虚数单位;
为角频率;
为晶粒相的时间常熟
为晶界相的时间常数
简化等效电路的复阻抗
PTCR
考虑形状因子,则
时,
;
5. PTCR的基本特性
6. 基本参数
----室温电阻
TC ----居里温度
Rmax/Rmin ----升阻比
α ---- 电阻率的温度系数
7. 应用
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