材料的电导课件.pptxVIP

材料的电导课件第1页/共125页第2页/共125页AreaiLength第一节 导电性能1.导电的定义：当在材料两端施加电压V时，材料中有电流I通过，这种现象叫导电。根据欧姆定律：导体：ρ10-2Ω ·m绝缘体：ρ1010Ω·m半导体：ρ=10-2-1010Ω·m第3页/共125页2、载流子无机材料中的载流子可以是电子（负电子，空穴），离子（正、负离子，空位）。载流子为离子的电导为离子电导，载流子为电子的电导为电子电导。第4页/共125页EyJxHz3、霍尔效应Hall effect电子电导的特征是具有霍尔效应。沿试样x轴方向通入电流I（电流密度Jx），Z轴方向加一磁场Hz，那么在y轴方向上将产生一电场Ey，这一现象称为霍尔效应。式中的RH称为霍尔系数(Hall coefficient)，它表示霍尔效应的强弱。第5页/共125页霍尔系数RH=μ*ρ?对于半导体材料： ?n型： ?p型：霍尔迁移率第6页/共125页EyJxHz 霍尔效应的产生是由于电子在磁场作用下，产生横向移动的结果，离子的质量比电子大得多，磁场作用力不足以使它产生横向位移，因而纯离子电导不呈现霍尔效应。利用霍尔效应可检验材料是否存在电子电导。第7页/共125页4、电解效应（离子电导特征）离子电导的特征是存在电解效应。离子的迁移伴随着一定的质量变化，离子在电极附近发生电子得失，产生新的物质，这就是电解现象。可以检验陶瓷材料是否存在离子电导，并且可以判定载流子是正离子还是负离子。法拉第电解定律：g——电解物质的量Q——通过的电量 C——电化当量F——法拉第常数第8页/共125页5.迁移率和电导率的一般表达式物体的导电现象，其微观本质是载流子在电场作用下的定向迁移。第9页/共125页如果介质处在外电场中，则作用于每一个载流子的力等于 。在这个力的作用下，每一载流子在 方向发生漂移，其平均速度为 。容易看出，单位时间（1s）通过单位截面的电荷量为设单位截面积为 ，在单位体积 内载流子数为 ，每一载流子的电荷量为 ，则单位体积内参加导电的自由电荷为 。其物理意义为载流子在单位电场中的迁移速度。第10页/共125页第二节 离子电导一.离子电导类型 (ionic conduction)离子自身随着热振动离开晶格形成热缺陷。离子电导固有离子电导（或本征电导） 源于晶体点阵的基本离子的运动（高温）固定较弱的离子的运动造成的（主要是杂质离子）杂质电导 杂质离子是弱联系离子，所以在较低温度下杂质电导表现得显著。第11页/共125页二．载流子浓度1.对于固有电导(本征电导intrinsic conduction) 载流子由晶体本身热缺陷——弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷提供。 1)弗仑克尔缺陷浓度 弗仑克尔缺陷的填隙离子和空位的浓度是相等的，都可表示为 第12页/共125页2)肖特基空位浓度式中N为单位体积内离子对的数目,Es为离解散一个阴离子和一个阳离子并到达表面所需要的能量。第13页/共125页3）讨论热缺陷的浓度（N）决定于温度T和离解散能E。（a）常温下，T小，kT＜＜E，所以N小； 高温下，T大，kT↑，N也↑，所以固有电导也显著（b）E与晶体结构有关 在离子晶体中，肖特基缺陷形成能＜弗仑克尔缺陷形成能。第14页/共125页2．杂质电导因为杂质离子的存在，不仅增加了电流载体数，而且使点阵发生畸变，杂质离子离解活化能变小。 在低温下，离子晶体的电导主要由杂质载流子浓度决定。第15页/共125页杂质导电与本征导电的比较杂质离子浓度远小于晶格格点数；杂质离子的活化能小于热缺陷移动的活化能；离子晶体的电导主要为杂质电导。第16页/共125页三．离子迁移率 离子电导的微观机构为载流子--离子的扩散。这种扩散过程就构成了宏观的离子“迁移”。在一般的电场强度下，间隙离子单从电场中获得的能量不足以克服势垒U0进行跃迁，因而热运动能是间隙离子迁移所需要能量的主要来源。通常热运动平均能量仍比U0小许多(相应于1ev的温度为104K) 。 第17页/共125页根据玻尔兹曼统计规律，单位时间沿某一方向跃迁的次数为式中ν0为间隙离子在半稳定位置上振动的频率。1.无外加电场时 间隙离子在晶体中各方向的“迁移”次数都相同，宏观上无电荷定向运动，故介质中无电导现象。 第18页/共125页2.有外加电场时由于电场力的作用，晶体中间隙离子的势垒不再对称，如图，对于正离子，受电场力作用，F=qE，F与E同方向，因而正离子顺电场方向“迁移”容易，反电场方向“迁移”困难。 第19页/共125页 设电场E在δ／2距离上(δ为相邻半稳定位置间的距离)造成的位势差ΔU=F·δ／2=qE