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本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种光敏探测器及其制备方法、设备及介质。其中，光敏探测器包括：光敏感元，所述光敏感元配置用于基于外部光线产生光电流；电荷吸附结构，所述电荷吸附结构紧贴所述光敏感元的刻蚀面配置用于吸收所述刻蚀面产生的电子。通过本发明提出的一种光敏探测器，在光敏探测器的刻蚀面的侧壁上依次沉积电荷吸附结构以及金属栅极。通过对金属栅极或者在探测器外部施加正偏压，将侧壁表面的电子隧穿至电荷吸附结构中，从而实现降低暗电流的效果。不同于传统的栅控结构采用电子排斥原理，本发明将电子彻底驱离探测
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116435401 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310418830.5 H01L 31/0216 (2014.01)
(22)申请日 2023.0
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