包含背栅结构的SOI器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-07-15 发布于四川
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包含背栅结构的SOI器件及其制备方法.pdf

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本发明提供一种包含背栅结构的SOI器件及其制备方法，制备方法包括以顶栅结构为掩模选择性刻蚀中间导电层，保留的中间导电层用作背栅电极，使得背栅电极与顶栅结构具有良好的对准精度，此种制备方法不仅可运用于先进工艺节点器件，也可用于对成熟工艺节点进行性能升级，具有良好的工艺适配性。本发明的SOI器件包括：沟道区，跨设于凹槽之上；背栅结构，介于沟道区与衬底层之间且嵌入于凹槽中；源区和漏区，设置介质埋层上且与背栅电极电隔离，通过背栅电极施加偏压，可灵活调整器件的工作状态，增强器件中顶栅的控制能力，降低背栅电

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116435367 A (43)申请公布日 2023.07.14 (21)申请号 202310428551.7 (22)申请日 2023.04.20 (71)申请人中国科学院上海微系统与信息技术