半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-07-15 发布于四川
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半导体结构及其制造方法.pdf

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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底，包括依次层叠的衬底、第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层的晶格常数大于第二半导体层的晶格常数；位于NMOS区的第一栅极和位于PMOS区的第二栅极；第一源漏掺杂区位于第一栅极两侧的第二半导体层内；第二源漏掺杂区位于第二栅极两侧的第一半导体层内；相连通的第一开口和第二开口，第一开口位于第一源漏掺杂区，第二开口位于第一源漏掺杂区正下方；第三开口位于第二源漏掺杂区正上方；第一电连接部，填充满第一开口且与第一源漏掺杂区电

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116435342 A (43)申请公布日 2023.07.14 (21)申请号 202310397990.6 (22)申请日 2023.04.10 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 23