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一种低漏电高阻抗的静电保护电路，包括：初级静电保护模块、单位增益自举放大器模块和次级静电保护模块；低漏电的静电保护电路的输入端为Vio；所述的初级静电保护模块由两个面积相同的静电保护嵌位二极管组成；单位增益自举放大器模块由三个长度相同宽度相同的限流电阻、两个沟道长度相同宽度相同的静电保护金属氧化物半导体场效应晶体管和一个运算放大器组成；次级静电保护模块由两个沟道长度相同宽度相同的静电保护金属氧化物半导体场效应晶体管和一个栅极耦合N型金属氧化物半导体场效应晶体管静电保护电路构成。本发明在保持有效静
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116435300 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310426676.6
(22)申请日 2023.04.20
(71)申请人 上海交通大学
地址 200240
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