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本申请提供一种气体监测装置、半导体制程设备及气体监测方法。该气体监测装置应用于半导体制程设备中，并且设置在气体通路上。该气体监测装置包括：发光件，被配置为发出能够穿过气体通路和/或气体通路管壁的第一光信号；和感光件，被配置为接收第一光信号能够穿过气体通路和/或气体通路管壁的第二光信号；其中，气体监测装置还被配置为通过比较第一光信号和第二光信号的大小，以检测气体通路中的特种气体是否被污染。本申请中的气体监测装置能够在第一时间监测气体通路中的特种气体是否被污染的状态，及时发现外漏，避免因外漏导致大量
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116429689 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310336501.6
(22)申请日 2023.03.30
(71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司
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