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本发明涉及一种研磨抛光技术，具体涉及一种表面低损伤磨抛碲锌镉晶片磨抛的方法。所述方法为：将待抛光的碲锌镉晶片固定后先进行水平振动抛光；然后进行水平振动化学抛光；振动抛光时控制振动频率为1000‑5000Hz，时间为2‑8小时；振动化学抛光时，控制频率为1000‑5000Hz，时间为2‑8小时；水平振动抛光时所用抛光液由颗粒度为40‑65nm的氧化铝抛光粉和去离子水按体积比1:15‑25组成；水平振动化学抛光时所用抛光液为硅酸浓度为3‑8wt％的硅酸溶液。本发明操作简单可控，所得产品的表面粗糙度为
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116423301 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310258552.1 B24B 49/12 (2006.01)
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