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2023-07-15 发布于四川
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晶体管结构.pdf

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本公开涉及晶体管结构。本发明涉及用于晶体管的晶体管结构，晶体管结构可包括第一源极‑漏极区、第二源极‑漏极区以及位于该第一源极‑漏极区与该第二源极‑漏极区之间的与栅极结构重叠的沟道区。晶体管结构能够形成在第一掺杂类型的阱中。具有该第一掺杂类型的隔离结构能够形成在该阱内。用于源极‑漏极区中的每个源极‑漏极区的第二掺杂类型的轻掺杂的注入区能够形成在该阱内并且与隔离结构分离。该第一掺杂类型的重掺杂的表面注入区能够跨该阱的表面延伸并且覆盖每个源极‑漏极区的该轻掺杂的注入区。该表面注入区能够跨晶体管结构通过

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116435318 A (43)申请公布日 2023.07.14 (21)申请号 202310012063.8 (22)申请日 2023.01.05 (30)优先权数据 17/647,931 2022