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一种TOPCon电池及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-15 发布于四川
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一种TOPCon电池及其制备方法.pdf

    本发明提供了一种TOPCon电池，包括：单晶硅片；设置在单晶硅片背面的内扩层；设置在内扩层下方的掺杂多晶硅层；所述掺杂多晶硅层包括：第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶硅区域，所述第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度高于第二掺杂多晶硅区域的掺杂浓度；所述内层包括：第一内扩区域和第二内扩区域，所述第一内扩区域位置与第一掺杂多晶硅区域位置相对应，所述第一内扩区域的结深大于第二内扩区域的结深。本发明提供的TOPCon电池具有特定的结构，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅的厚度和浓度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116435385 A (43)申请公布日 2023.07.14 (21)申请号 202310470216.3 H01L 31/042 (2014.01)

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