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本实用新型涉及碳化硅晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种坩埚和碳化硅生长装置。该坩埚包括料筒、盖体及导流板；其中，料筒具备容腔以及与容腔连通的开口；盖体与料筒连接，盖体用于封闭开口；导流板容置于容腔内，导流板将容腔分隔为容纳腔室以及沉积腔室，物料容纳于容纳腔室内；导流板开设有多个导流通道，导流通道连通容纳腔室及沉积腔室；导流板用于使得容纳腔室内的气流在经多个导流通道进入沉积腔室后，在沉积腔室内形成旋转气流。由此，当位于容腔中的物料为碳化硅原料及掺杂物质时，在料筒被加热后，碳化硅原料及掺杂物质开始
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214193518 U
(45)授权公告日 2021.09.14
(21)申请号 202023256463.4
(22)申请日 2020.12.29
(73)专利权人 湖南三安半导体有限责任公司
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