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用于清洁低K沉积腔室的系统以及方法.pdfVIP

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  • 2023-07-15 发布于四川
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用于清洁低K沉积腔室的系统以及方法.pdf

    描述了清洁基板处理腔室的示例性半导体处理方法。此方法可包括在基板处理腔室中的第一基板上沉积介电膜，其中介电膜可包括硅碳氧化物。具有介电膜的第一基板可从基板处理腔室移除，及介电膜可沉积在基板处理腔室中的至少还有一个基板上。此至少还有一个基板可在介电膜沉积在此基板上之后从基板处理腔室移除。在移除具有介电膜的最后一个基板之后，蚀刻等离子体流出物可流入基板处理腔室中。蚀刻等离子体流出物可包括大于或约500sccm的NF3等离子体流出物，及大于或约1000sccm的O2等离子体流出物。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116438328 A (43)申请公布日 2023.07.14 (21)申请号 202180072292.8 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公

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