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- 2023-07-17 发布于四川
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本实用新型涉及一种GaN晶体管驱动电路。其用于驱动一被驱动GaN晶体管,包括上下管电路和上下管控制电路,所述上下管电路包括上管和下管,所述上管和下管均为GaN晶体管,所述上管的漏极与电源电压(VCC)相连,栅极与数字输入(VIN)相连,源极与下管的漏极相连,并作为GaN晶体管驱动电路的输出与被驱动GaN晶体管的栅极相连;下管的栅极与上下管控制电路相连接;该上下管控制电路利用母线电压(VD)、电源电压(VCC)以及数字输入(VIN),对所述下管进行控制,从而使所述GaN晶体管驱动电路的输出与数字输
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214228225 U
(45)授权公告日 2021.09.17
(21)申请号 202022648758.X
(22)申请日 2020.11.17
(73)专利权人 派恩杰半导体(杭州)有限公司
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