2023-2024学年高二物理竞赛教学设计——晶体管及放大电路基础.pdfVIP

2023-2024学年高二物理竞赛教学设计——晶体管及放大电路基础 一、教学要求 教 学 要 求 知 识 点 学时 掌握 理解 了解 晶体管的结构 √ 晶体管 电流分配与放大作用 √ √ 晶体管的工作状态、伏安特性及主要参数 √ √ 放大电路的组成原则及工作原理 √ 放大电路的主要技术指标 √ 图解法 √ 放大电路 静态工作点估算法 √ 的分析方法 微变等效电路法 √ 三种基本放大电路比较 √ 放大电路 静态工作点的选择与稳定 √ √ 基础 耦合方式及直接耦合电 √ 多极放大电路 路的特殊问题 分析计算方法 √ 频率响应的基本概念 √ √ 放大电路的频率响 频率响应的分析计算方 应 √ √ 法 二、重点和难点 本章的重点是： 晶体管的伏安特性、主要参数；放大电路的组成原则及工作原理、静态工作点的近似估 算法、主要动态指标的微变等效电路分析法、静态工作点的选择与稳定、三种基本放大电路 的特点；放大电路频率响应的基本概念及分析计算方法。 本章的难点是： 放大电路频率响应的基本概念及分析方法。 三、教学内容 2.1晶体管 1. 晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种，通常把双极型晶体管简称为晶体管，而单极型晶体管简称 场效应管。 晶体管是半导体器件，它由掺杂类型和浓度不同的三个区 （发射区、基区和集电区）形成 的两个PN 结 （发射结和集电结）组成，分别从三个区引出三个电极 （发射极e、基极b 和 集电极c）。 晶体管根据掺杂类型不同，可分为NPN 型和PNP 型两种；根据使用的半导体材料不同 ， 又可分为硅管和锗管两类。 晶体管内部结构的特点是发射区的掺杂浓度远远高于基区掺杂浓度，并且基区很薄，集电 结的面积比发射结面积大。这是晶体管具有放大能力的内部条件。 2. 电流分配与放大作用 （北京）股份有限公司 晶体管具有放大能力的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。在这种偏置条件下， 发射区的多数载流子扩散到基区后，只有极少部分在基区被复合，绝大多数会被集电区收集 后形成集电极电流。通过改变发射结两端的电压，可以达到控制集电极电流的目的。 晶体管的电流分配关系如下： 其中电流放大系