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一种半导体外延结构及LED芯片.pdfVIP

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  • 2023-07-18 发布于四川
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一种半导体外延结构及LED芯片.pdf

    本实用新型提供了一种半导体外延结构及LED芯片，包括在所述衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、有源区、第二型半导体层，所述有源区包括n个沿第一方向依次层叠的量子层，各所述量子层包括势垒层和势阱层，且至少在一相邻的两个量子层之间设有应力释放层，以解决因势阱层和势垒层之间、以及势阱层与第一型半导体层之间所同时存在的晶格失配问题，从而避免因累加的晶格失配所产生的应力对电子和空穴在空间的复合效率的影响。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214226936 U (45)授权公告日 2021.09.17 (21)申请号 202120160090.6 (22)申请日 2021.01.21 (73)专利权人 厦门乾照光电股份有限公司

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