原创力文档- 2
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- 2023-07-18 发布于四川
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本实用新型涉及半导体加工附属装置的技术领域，特别是涉及一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置，可以在硅材料装填不够的情况对硅材料进行添加，从而节省热能损耗，降低单晶硅生产成本，包括炉体，炉体的内部设置有加热器、保温筒、电极和坩埚，加热器与电极电性连接；还包括储料箱、加料管和加料电机，炉体包括底部炉体、中部炉体和顶部炉盖，储料箱安装于顶部炉盖上，储料箱的底端连通设置有连通管，加料电机的底部输出端设置有加料轴，加料轴的底端穿过顶部炉盖伸入至加料管内，加料轴上设置有螺旋输送叶片，加料管的底端设置有加料嘴，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214218910 U
(45)授权公告日 2021.09.17
(21)申请号 202120057260.8
(22)申请日 2021.01.11
(73)专利权人 致胜精工机电（天津）有限公司
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