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- 2023-07-18 发布于四川
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本实用新型为一种具有氮化铝氧化物薄膜的发光二极管，主要包括一基板、一氮化铝缓冲层、一氮化铝氧化物薄膜及一发光二极管磊晶结构。氮化铝缓冲层位于基板的一图案化表面上，其中图案化表面包括复数个凸起部及至少一底部。氮化铝氧化物薄膜位于凸起部的氮化铝缓冲层上，而设置在底部的氮化铝缓冲层上则未设置氮化铝氧化物薄膜。发光二极管磊晶结构包括至少一氮化镓化合物结晶，位于氮化铝氧化物薄膜及未设置氮化铝氧化物薄膜的氮化铝缓冲层上，可大幅减少氮化镓化合物结晶的缺陷密度，并有利于提高发光二极管的亮度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214226937 U
(45)授权公告日 2021.09.17
(21)申请号 202120004049.X
(22)申请日 2021.01.04
(73)专利权人 鑫天虹(厦门)科技有限公司
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