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- 2023-07-18 发布于四川
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本实用新型公开了一种改善EMI及降低特征电阻的超结器件。该器件包括衬底、多层设置在衬底上侧的第一外延和设置在第一外延上侧的第二外延，每层第一外延上侧均掺杂形成有第一导电类型的掺杂区，并制作形成有多个间隔设置的第二导电类型的掺杂区，多层第一外延上的第二导电类型的掺杂区沿竖向排列设置，第二外延上刻蚀形成有多个沟槽，每一沟槽设置在一列第二导电类型的掺杂区的上侧，且其内部回填有第二导电类型的杂质，在纵向相邻的两个第二导电类型的掺杂区之间以及沟槽与其下侧的第二导电类型的掺杂区之间均连接有第二导电类型连接柱
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214226914 U
(45)授权公告日 2021.09.17
(21)申请号 202120092933.3
(22)申请日 2021.01.14
(73)专利权人 滁州华瑞微电子科技有限公司
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